IGCT(Integrated Gate Commutated Thyristor) 종류와 장단점

IGCT(Integrated Gate Commutated Thyristor) 종류와 장단점

 

1. IGCT
  (1) 통합 게이트 정류 사이리스터(Integrated Gate Commutated Thyristor, IGCT)는 대용량의 전류를 제어할 수 있는 신형 반도체 소자로서 전력 반도체의 일종이다.
  (2)GTO 와 비슷한 사이리스터의 일종으로, 제어 단자(gate) 신호로 켜고 끌 수 있으며 GTO에 비해 전도 손실이
적은 것이 특징이다.
  (3)또한 IGCT는 GTO에 비해 조금 더 고속의 스위칭이 가능하다. 최고 400kHz까지의 스위칭이 가능하지만, 주파수가 높아지면 변환 손실이 커지기 때문에 보통은 500 Hz 정도로 스위칭한다.

IGCT_심벌

2.IGCT의 종류

  (1) S-IGCT
발생한 역전압을 균형 있게 (순방향 전압과 역방향 전압이 거의 같게)하는 IGCT로 전류형 인버터에 사용된다.
  (2) A-IGCT
발생한 역전압을 거의 막지 않는 IGCT이다. 역전압이 거의 발생하지 않는 Chopper 등에 사용된다.
  (3) R-IGCT
발생한 역전압을 별도의 다이오드를 통해서 도통시키는 IGCT이다.

3. IGCT의 장단점

  (1) 장점
①사용전압이 5kV 정도로 매우 높고 도통 가능한 전류도 3000~5000A정도로 매우 크다
②On/Off 신호는 보통 광케이블로 입력받는다.

③전압강하가 2~3V 정도로 낮고 저항이 수 mm Ω 정도로 작아서 손실이 적다.
④ 직렬/병렬로 사용할 수 있다.

  (2) 단점
① 게이트 구동 전류가 보통 1000A 정도로 매우 크다
② 구동 중 고조파 발생이 많은 편이다
③ GTO 보다 가격이 비싸다